三星官宣完成5納米EUV工藝研發(fā)
4月16日，三星在官方網(wǎng)站宣布目前三星電子已經(jīng)成功完成5nm EUV開發(fā)，將能實現(xiàn)芯片的更大面積擴展并帶來超低功耗。
三星電子表示其5nm（納米）FinFET工藝技術(shù)的開發(fā)已完成，并能給客戶提供樣品。與7nm相比，三星的5nm FinFET工藝技術(shù)將邏輯區(qū)域效率提高25%，性能提高10%，功耗降低20%，能夠帶來更多創(chuàng)新的標(biāo)準(zhǔn)單元架構(gòu)。
三星電子鑄造業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁Charlie Bae表示“成功完成5nm開發(fā)，已證明了我們在基于EUV的節(jié)點中的能力，我們將努力加速基于EUV技術(shù)的批量生產(chǎn)?！?/p>
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